Согласно изданию DailyTech, компания Intel инвестирует около 14 млн. долларов США  на разработку чипов памяти PRAM емкостью 100 гигабайт, которой занимается молодая компания Nanochip.

Чипы памяти PRAM в отличие от имеющихся сейчас NAND-аналогов будут основаны не на литографии, а на фазовых переходах. Благодаря этому они имеют лучшие показатели в скорости работы. Запись данных в такой памяти основан на изменении фазового состояния вещества. Например, единица соответствует кристаллической структуре ячейки, а ноль – аморфному состоянию.

[Читать]